Luận án Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời cztse

Khi thế giới càng phát triển, nhu cầu sử dụng năng lượng của con người càng
tăng cao. Việc sử dụng các nguồn năng lượng cũng như làm thế nào để duy trì và
phát triển các nguồn năng lượng là vấn đề đang được các nhà khoa học quan tâm
nghiên cứu. Hiện nay, nguồn năng lượng hóa thạch trên Trái Đất đang bị cạn kiệt
dần. Hàng năm, khoảng 90% lượng năng lượng tiêu thụ trên thế giới là năng lượng
hóa thạch như than đá, dầu mỏ và khí tự nhiên. Trong khi đó, khí thải do các nguồn
năng lượng này gây ô nhiễm môi trường, ảnh hưởng xấu tới môi trường và khí hậu
Trái đất như gây ra hiệu ứng nhà kính, biến đổi khí hậu Elnino gây thiên tai lũ lụt,
hạn hán, động đất, sóng thần, .
127 trang dienloan 9540
Download
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Luận án Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời cztse", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
Tóm tắt nội dung tài liệu: Luận án Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời cztse

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO 
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI 
NGUYỄN THỊ THU HIỀN 
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN 
TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG 
NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe 
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU 
Hà Nội – 2020 
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO 
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI 
NGUYỄN THỊ THU HIỀN 
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN 
TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG 
NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe 
Ngành: Khoa học vật liệu 
Mã số: 9440122 
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU 
 NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 
1. PGS. TS. NGUYỄN DUY CƯỜNG 
2. TS. NGUYỄN HỮU DŨNG 
Hà Nội – 2020 
 i 
LỜI CAM ĐOAN 
Tôi, NCS. Nguyễn Thị Thu Hiền, xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của 
tôi dưới sự hướng dẫn của: PGS.TS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu 
Dũng. Kết quả nghiên cứu trình bày trong luận án là khách quan, trung thực và chưa 
từng được tác giả khác công bố. 
 Hà nội, ngày 31 tháng 01 năm 
2020 
Thay mặt tập thể giáo viên hướng dẫn Tác giả 
 PGS.TS. Nguyễn Duy Cường NCS. Nguyễn Thị Thu Hiền 
 ii 
LỜI CẢM ƠN 
Sau 3 năm nghiên cứu chính thức dưới sự hướng dẫn nhiệt tình của PGS.TS. 
Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu Dũng, tôi đã hoàn thành bản Luận án với 
đề tài “Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng 
nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe”. Qua bản luận án này, tôi xin được gửi lời 
cảm ơn sâu sắc tới PGS.TS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu Dũng, những 
người Thầy đã giúp đỡ, hướng dẫn tôi trong suốt thời gian nghiên cứu và trong quá 
trình thực hiện luận án. Tôi xin gửi lời cảm ơn tập thể các Thầy, Cô giảng viên 
trong Viện Tiên Tiến Khoa học và Công nghệ, những người đã trực tiếp giảng dạy 
và trang bị cho tôi những kiến thức cơ bản về ngành khoa học Vật liệu Nano. 
Tôi xin được gửi lời cảm ơn tới Ban Lãnh đạo trường Đại học Bách Khoa Hà 
Nội, Phòng Đào tạo, Viện Tiên tiến Khoa học và Công Nghệ (AIST) đã tạo điều 
kiện cho tôi được học tập và nghiên cứu tại cơ sở trong thời gian vừa qua. 
Tôi xin gửi lời cảm ơn tới Ban Lãnh đạo Trường Đại học Điện lực, Khoa Kỹ 
thuật điện đã tạo điều kiện thuận lợi để tôi được tập trung học tập và nghiên cứu. 
Tôi xin gửi lời cảm ơn tới các thành viên trong gia đình, các Anh - Chị - Em 
đồng nghiệp và Nghiên cứu sinh đã giúp đỡ về công việc cũng như động viên khích 
lệ tôi rất nhiều về mặt tinh thần để tôi có thể hoàn thành nhiệm vụ nghiên cứu của 
mình. 
Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn sự hỗ trợ kinh phí từ Quỹ phát triển 
Khoa học và Công nghệ Quốc gia (NAFOSTED) cho nghiên cứu này trong đề tài 
mã số “103.02- 2017.45” và sự hỗ trợ kinh phí từ nguồn học bổng 911 của Bộ Giáo 
dục và Đào tạo. 
Xin trân trọng cảm ơn! 
 Hà Nội, ngày 31 tháng 01 năm 2020 
 Tác giả 
NCS. Nguyễn Thị Thu Hiền 
 iii 
MỤC LỤC 
LỜI CAM ĐOAN ........................................................................................................ i 
LỜI CẢM ƠN ............................................................................................................. ii 
MỤC LỤC ................................................................................................................. iii 
DANH MỤC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ......................................................... vii 
DANH MỤC BẢNG .................................................................................................. x 
DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ ............................................................................. xi 
MỞ ĐẦU .................................................................................................................... 1 
1. Lý do chọn đề tài .................................................................................................... 1 
2. Mục tiêu của luận án ............................................................................................... 4 
3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu .......................................................................... 4 
4. Nội dung nghiên cứu .............................................................................................. 5 
5. Phương pháp nghiên cứu ........................................................................................ 5 
6. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án ............................................................. 6 
7. Những đóng góp mới của luận án .......................................................................... 6 
8. Bố cục của luận án .................................................................................................. 7 
CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI CZTSe ........................................ 9 
1.1 Giới thiệu chung .................................................................................................... 9 
1.2 Pin mặt trời CZTSe ............................................................................................. 13 
1.2.1 Nguyên lý hoạt động của pin mặt trời CZTSe ................................................ 13 
1.2.2 Cấu trúc – chức năng cơ bản các lớp trong pin mặt trời CZTSe .................... 14 
1.2.2.1 Lớp điện cực trên .......................................................................................... 15 
1.2.2.2 Lớp chống phản xạ ....................................................................................... 15 
1.2.2.3 Lớp điện cực cửa sổ ...................................................................................... 15 
1.2.2.4 Lớp đệm ........................................................................................................ 16 
1.2.2.5 Lớp hấp thụ ánh sáng .................................................................................... 17 
1.2.2.6 Lớp điện cực dưới ......................................................................................... 17 
1.2.3 Giản đồ năng lượng của pin mặt trời CZTSe ................................................. 18 
1.3 Vật liệu hấp thụ ánh sáng CZTSe ....................................................................... 19 
 iv 
1.3.1 Cấu trúc tinh thể CZTSe ................................................................................. 19 
1.3.2 Tính chất quang – điện của vật liệu CZTSe ................................................... 22 
1.3.2.1 Độ hấp thụ ánh sáng..22 
1.3.2.2 Độ rộng vùng cấm của vật liệu CZTSe.24 
1.3.2.3 Sự phụ thuộc của tính chất vật liệu vào thành phần của 
CZTSe24 
1.3.3 Vật liệu CZTSe nghèo Đồng ........................................................................... 26 
1.4 Vật liệu dẫn điện trong suốt truyền qua .............................................................. 27 
1.4.1 Tính chất quang – điện của vật liệu dẫn điện trong suốt ................................ 28 
1.4.2 Điện cực dẫn điện trong suốt ứng dụng cho pin mặt trời ............................... 29 
1.5 Giới thiệu các phương pháp chế tạo màng mỏng .............................................. 30 
1.5.1 Pin mặt trời chế tạo dựa trên điều kiện chân không ........................................ 31 
1.5.1.1 Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp phún 
xạ..31 
1.5.1.2 Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp bốc 
bay32 
1.5.1.3 Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp lắng đọng xung laser.33 
1.5.2 Pin mặt trời chế tạo dựa trên điều kiện không chân không ............................ 34 
1.5.2.1 Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp phun phủ nhiệt..34 
1.5.2.2 Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp lắng đọng điện 
hóa35 
1.5.2.3 Pin mặt trời chế tạo dựa trên phương pháp Sol – gel35 
1.5.2.4 Pin mặt trời chế tạo dựa trên dung dịch chứa hạt 
nano36 
CHƯƠNG 2 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LỚP VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG 
SUỐT ........................................................................................................................ 37 
2.1 Chế tạo lớp điện cực cửa sổ ITO bằng phương pháp phún xạ ........................... 38 
2.1.1 Hệ phún xạ sử dụng để chế tạo lớp điện cực cửa sổ ITO ............................... 38 
2.1.2 Chế tạo màng ITO bằng phương pháp phún xạ .............................................. 39 
2.1.2.1 Màng ITO được phún xạ với nồng độ O2 khác nhau: .................................. 40 
2.1.2.2 Màng ITO được phún xạ với nhiệt độ đế khác nhau .................................... 42 
 v 
2.1.3 Kết luận về chế tạo màng ITO ......................................................................... 45 
2.2 Chế tạo lớp điện cực cửa sổ AgNW/ITO bằng phương pháp in gạt .................. 46 
2.2.1 Phương pháp in gạt và quy trình chế tạo lớp điện cực cửa sổ AgNW/ITO .... 46 
2.2.2 Phân tích kết quả tạo màng AgNW/ITO ......................................................... 47 
2.2.2.1 Ảnh FESEM bề mặt màng AgNW/ITO ....................................................... 47 
2.2.2.3 Phổ truyền qua của màng AgNW/ITO ......................................................... 51 
2.2.2.4 Thử nghiệm trên pin mặt trời CZTSSe (CZTS) ........................................... 52 
2.2.3 Kết luận về màng AgNW/ITO ........................................................................ 54 
CHƯƠNG 3 TỔNG HỢP HẠT NANO Cu(Zn,Sn)Se2 CHO ỨNG DỤNG LÀM 
LỚP HẤP THỤ ÁNH SÁNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe ............................ 56 
3.1 Giới thiệu tổng hợp hạt nano CZTSe ................................................................. 56 
3.2 Phương pháp phun nóng ..................................................................................... 57 
3.3 Quy trình tổng hợp hạt nano CZTSe .................................................................. 59 
3.4 Phân tích kết quả tổng hợp hạt nano CZTSe ...................................................... 61 
3.4.1 Tổng hợp hạt nano CZTSe ở các nhiệt độ khác nhau ..................................... 63 
3.4.1.1 Ảnh FESEM và Phổ EDX ............................................................................ 64 
3.4.1.2 Giản đồ XRD ................................................................................................ 65 
3.4.2 Tổng hợp hạt nano CZTSe theo tỉ lệ tiền chất khác nhau ............................... 66 
3.4.2.1 Ảnh FESEM và Phổ EDX ............................................................................ 67 
3.4.2.2 Giản đồ XRD ................................................................................................ 68 
3.4.3 Tổng hợp hạt nano CZTSe với các tốc độ phun dung dịch Se khác nhau ...... 69 
3.4.3.1 Ảnh FESEM và Phổ EDX ............................................................................ 70 
3.4.3.2 Giản đồ XRD ................................................................................................ 71 
3.4.4 Kết quả thu được trên các mẫu lặp lại ............................................................ 72 
3.5 Kết luận về tổng howph hạt nano ....................................................................... 74 
CHƯƠNG 4 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LỚP HẤP THỤ ÁNH SÁNG CZTSe VÀ 
TẾ BÀO PIN MẶT TRỜI ........................................................................................ 75 
4.1 Nghiên cứu quá trình chế tạo màng CZTSe làm lớp hấp thụ ánh sáng trong pin 
mặt trời . .75 
4.1.1 Giới thiệu phương pháp nghiên cứu ................................................................ 75 
4.1.2 Phương pháp in gạt chế tạo lớp hấp thụ ánh sáng CZTSe .............................. 77 
 vi 
4.1.2.1 In gạt tạo màng tiền chất CZTSe .................................................................. 78 
4.1.2.2 Xử lý màng CZTSe ở nhiệt độ cao tạo lớp hấp thụ ánh sáng....................... 79 
a) Quy trình xử lý nhiệt màng CZTSe trong môi trường khí 
N2.79 
b) Xác định điều kiện xử lý nhiệt màng CZTSe trong môi trường khí 
N2..80 
4.1.3 Kết quả chế tạo màng CZTSe .......................................................................... 81 
4.1.3.1 Màng CZTSe theo nhiệt độ .......................................................................... 81 
a) Chế tạo màng ở nhiệt độ khác nhau trong môi trường N2, không có hơi Selen ... 81 
b) Chế tạo màng ở các nhiệt độ khác nhau trong môi trường N2, có hơi 
Selen.84 
4.1.3.2 Màng CZTSe theo lượng hơi Se khác nhau ................................................. 86 
4.1.3.3 Màng CZTSe theo thời gian xử lý nhiệt khác nhau ..................................... 87 
4.1.4 Kết luận về chế tạo màng CZTSe .................................................................... 88 
4.2 Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh .......................................... 88 
4.2.1 Cấu trúc và phương pháp chế tạo các lớp trong pin mặt trời CZTSe hoàn 
chỉnh..88 
4.2.2 Kết quả chế tạo pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh ............................................. 91 
4.3 Kết luận về chế tạo màng hấp thụ ánh sáng và pin mặt trời CZTSe .................. 93 
KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ .................................................................................. 93 
1. Kết luận chung về kết quả đạt được của luận án .................................................. 93 
2. Kiến nghị và đề xuất hướng nghiên cứu tiếp theo ................................................ 94 
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN ................... 95 
Tạp chí ISI ................................................................................................................ 95 
Tạp chí trong nước .................................................................................................... 96 
Hội nghị .................................................................................................................... 96 
TÀI LIỆU THAM KHẢO ........................................................................................ 96 
 vii 
DANH MỤC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT 
Stt Ký hiệu Tên tiếng Anh Tên tiếng Việt 
1 EV Valence energy Năng lượng vùng hoá trị 
2 EC Conduction energy Năng lượng vùng dẫn 
3 Ef Fermi energy Năng lượng Fermi 
4 Eg Energy band gap Độ rộng vùng cấm 
5 FF Fill factor Hệ số điền đầy 
6 e Electron Điện tử 
7 h Hole Lỗ trống 
8 ISC Short circuit current Cường độ dòng ngắn mạch 
9 JSC Short circuit current density Mật độ dòng ngắn mạch 
10 SLG Đế thủy tinh 
11 VCB Valence Band Maximum Mức cao nhất của vùng hóa trị 
12 CBM Conduction Band Minimum Mức thấp nhất của vùng dẫn 
13 Rbềmặt Sheet resistance Điện trở bề mặt 
14 T Transmitance Độ truyền qua 
15 VOC Open circuit voltage Điện thế hở mạch 
16 S Sulfide Lưu huỳnh 
17 Se Selenium Selen 
18 Resistivity Điện trở suất 
19  
Conversion efficiency of the 
solar cell 
Hiệu su ... ys and Compounds, vol. 368, 
no. 1–2. pp. 135–143. 
[72] Parasyuk O. V., I. D. Olekseyuk, I. I. Mazurets, and L. V. Piskach (2004), 
"Phase equilibria in the quasi-ternary ZnSe-Ga2Se 3-SnSe2 system", Journal 
of Alloys and Compounds, vol. 379, no. 1–2. pp. 143–147. 
[73] Chen Shiyou, Ji Hui Yang, X. G. Gong, Aron Walsh, and Su Huai Wei 
 105 
(2010), "Intrinsic point defects and complexes in the quaternary kesterite 
semiconductor Cu2ZnSnS4", Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys., 
vol. 81, no. 24, p. 245204. 
[74] Herve´ J. Tchognia Nkuissi Bouchaib Hartiti (2018), " Cu2ZnSnS4 Thin-Film 
Solar Cells", Micro and Nano Technologies, Handbook of Nanomaterials for 
Industrial Applications, Pages 799-828 . 
[75] Chen Shiyou, Aron Walsh, Ji-Hui Yang, X. G. Gong, Lin Sun, Ping-Xiong 
Yang, Jun-Hao Chu, and Su-Huai Wei (2011), "Compositional dependence of 
structural and electronic properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys for thin film 
solar cells", Physical Review B, vol. 83, no. 12. p. 125201. 
[76] Minlin Jiang Xingzhong Yan (2013), " Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells: 
Present Status and Future Prospects", Published by Intech (Croatia), Solar 
Cells: Research and Application Perspectives , Chapter 5, p. 107. 
[77] Shiyou Chen, Lin-Wang Wang, Aron Walsh, X. G. Gong and Su-Huai Wei 
(2012) "Abundance of CuZn+SnZn and 2CuZn+SnZn defect clusters in kesterite 
solar cells", Applied Physics Letters, Vol 115, issue 16. 
[78] Nagoya Akihiro, Ryoji Asahi, Roman Wahl, and Georg Kresse (2010), 
"Defect formation and phase stability of Cu2ZnSnS4 photovoltaic material", 
Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys., vol. 81, no. 11, p. 113202. 
[79] Katagiri Hironori, Kazuo Jimbo, Masami Tahara, Hideaki Araki, and 
Koichiro Oishi (2009), "The Influence of the Composition Ratio on CZTS-
based Thin Film Solar Cells", MRS Proc., vol. 1165. 
[80] Chen Aqing, Kaigui Zhu, Huicai Zhong, Qingyi Shao, and Guanglu Ge 
(2014), "A new investigation of oxygen flow influence on ITO thin films by 
magnetron sputtering", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 120, no. PART A, 
pp. 157–162. 
[81] Chen Zhangxian, Wanchao Li, Ran Li, Yunfeng Zhang, Guoqin Xu, and 
Hansong Cheng (2013), "Fabrication of highly transparent and conductive 
indium-tin oxide thin films with a high figure of merit via solution 
processing", Langmuir, vol. 29, no. 45. pp. 13836–13842. 
[82] Lee Jonghun, Sunghwan Lee, Guanglai Li, Melissa A Petruska, David C 
 106 
Paine, and Shouheng Sun (2012), "A facile solution-phase approach to 
transparent and conducting ITO nanocrystal assemblies", J. Am. Chem. Soc., 
vol. 134, no. 32, pp. 13410 –13414. 
[83] He Weiwei and Changhui Ye (2015), "Flexible Transparent Conductive 
Films on the Basis of Ag Nanowires: Design and Applications: A Review", 
Journal of Materials Science and Technology, vol. 31, no. 6. pp. 581–588. 
[84] Kumar Akshay and Chongwu Zhou (2010), "The race to replace tin-doped 
indium oxide: Which material will win?", ACS Nano, vol. 4, no. 1, pp. 11–14. 
[85] Delahoy Alan E and Sheyu Guo (2011), "Transparent conducting oxides for 
photovoltaics", Handb. Photovolt. Sci. Eng., pp. 716–796. 
[86] Minami Tadatsugu (2008), "Present status of transparent conducting oxide 
thin-film development for Indium-Tin-Oxide (ITO) substitutes", Thin Solid 
Films, vol. 516, no. 17, pp. 5822–5828. 
[87] Tan Zhi-Kuang, Reza Saberi Moghaddam, May Ling Lai, Pablo Docampo, 
Ruben Higler, Felix Deschler, Michael Price, Aditya Sadhanala, Luis M 
Pazos, and Dan Credgington (2014), "Bright light-emitting diodes based on 
organometal halide perovskite", Nat. Nanotechnol., vol. 9, no. 9, p. 687. 
[88] Mishra Satyendra K, Samta Rani, and Banshi D Gupta (2014), "Surface 
plasmon resonance based fiber optic hydrogen sulphide gas sensor utilizing 
nickel oxide doped ITO thin film", Sensors Actuators B Chem., vol. 195, pp. 
215–222. 
[89] Dhakal Tara P., Chien Yi Peng, R. Reid Tobias, Ramesh Dasharathy, and 
Charles R. Westgate (2014), "Characterization of a CZTS thin film solar cell 
grown by sputtering method", Sol. Energy, vol. 100, p. 23. 
[90] Ito Kentaro and Tatsuo Nakazawa "Electrical and Optical Properties of 
Stannite-Type Quarternary Semiconductor Thin Films", Japanese Journal of 
Applied Physics, vol. 27. pp. 2094–2097, 1988. 
[91] Wakahara Akihiro, Akira Yoshida, Daisuke Kawasaki, Hiroshi Ogawa, 
Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Takeshi Nagatomo, and Tooru Tanaka (2005), 
"Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering", J. Phys. Chem. 
Solids, vol. 66, no. 11, pp. 1978–1981. 
 107 
[92] Momose Noritaka, Myo Than Htay, Takuto Yudasaka, Shigeo Igarashi, 
Takuro Seki, Shota Iwano, Yoshio Hashimoto, and Kentaro Ito (2011), " 
Cu2ZnSnS4 thin film solar cells utilizing sulfurization of metallic precursor 
prepared by simultaneous sputtering of metal targets", Jpn. J. Appl. Phys., 
vol. 50, no. 1 PART 3. 
[93] Araki Hideaki, Aya Mikaduki, Yuki Kubo, Tatsuhiro Sato, Kazuo Jimbo, 
Win Shwe Maw, Hironori Katagiri, Makoto Yamazaki, Koichiro Oishi, and 
Akiko Takeuchi (2008), "Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by 
sulfurization of stacked metallic layers", Thin Solid Films, vol. 517, no. 4, pp. 
1457–1460. 
[94] Kobayashi Takeshi, Kazuo Jimbo, Kazuyuki Tsuchida, Shunsuke Shinoda, 
Taisuke Oyanaoi, and Hironori Katagiri (2005), "Investigation of Cu2ZnSnS4-
based thin film solar cells using abundant materials", Japanese J. Appl. 
Physics, Part 1 Regul. Pap. Short Notes Rev. Pap., vol. 44, no. 1 B, pp. 783–
787. 
[95] Shin B., S. Guha, O. Gunawan, D. Mitzi, K. Wang, N. A. Bojarczuk, T. 
Todorov, and S. J. Chey (2010), "Thermally evaporated Cu2ZnSnS4 solar 
cells", Appl. Phys. Lett., vol. 97, no. 14, p. 143508. 
[96] D.B. Chrisey G.K. Hubler (1994), "Pulsed laser deposition of thin films ", J. 
Phys. Condens. Matter, vol. 8, no. 49, pp. 10737–10752. 
[97] Krebs Hans-Ulrich, Martin Weisheit, Jörg Faupel, Erik Süske, Thorsten 
Scharf, Christian Fuhse, Michael Störmer, Kai Sturm, Michael Seibt, Harald 
Kijewski, Dorit Nelke, Elena Panchenko, and Michael Buback (2003), 
"Pulsed Laser Deposition (PLD) -- A Versatile Thin Film Technique", 
Advances in Solid State Physics book series, Springer Berlin Heidelberg, vol 
43, pp 505-518 pp. 505–518. 
[98] Moriya Katsuhiko, Kunihiko Tanaka, and Hisao Uchiki (2007), "Fabrication 
of Cu2ZnSnS4 thin-film solar cell prepared by pulsed laser deposition", 
Japanese J. Appl. Physics, Part 1 Regul. Pap. Short Notes Rev. Pap., vol. 46, 
no. 9 A, pp. 5780–5781. 
[99] Sun Lin, Jun He, Hui Kong, Fangyu Yue, Pingxiong Yang, and Junhao Chu 
 108 
(2011), "Structure, composition and optical properties of Cu2ZnSnS4 thin 
films deposited by Pulsed Laser Deposition method", Sol. Energy Mater. Sol. 
Cells, vol. 95, no. 10, pp. 2907–2913. 
[100] Moholkar A. V., S. S. Shinde, A. R. Babar, Kyu Ung Sim, Ye bin Kwon, K. 
Y. Rajpure, P. S. Patil, C. H. Bhosale, and J. H. Kim (2011), "Development of 
CZTS thin films solar cells by pulsed laser deposition: Influence of pulse 
repetition rate", Sol. Energy, vol. 85, no. 7, pp. 1354–1363. 
[101] Norio Nakayama and Ito Kentaro (1996), "Sprayed films of stannite 
Cu2ZnSnS4", Appl. Surf. Sci., vol. 92, pp. 171–175. 
[102] Nakayama Norio and Kentaro Ito (1996), "Sprayed films of stannite 
Cu2ZnSnS4", Appl. Surf. Sci., vol. 92, p. 171. 
[103] Larramona Gerardo, St??phane Bourdais, Alain Jacob, Christophe Chon??, 
Takuma Muto, Yan Cuccaro, Bruno Delatouche, Camille Moisan, Daniel and 
Gilles Dennler (2014), "8.6% Efficient CZTSSe solar cells sprayed from 
water-ethanol CZTS colloidal solutions", J. Phys. Chem. Lett., vol. 5, no. 21, 
pp. 3763–3767. 
[104] Hossain Md. Anower, Zhang Tianliang, Lee Kian Keat, Li Xianglin, Rajiv R. 
Prabhakar, Sudip K. Batabyal, Subodh G. Mhaisalkar, and Lydia H. Wong 
(2015), "Synthesis of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films using an aqueous spray-
pyrolysis approach, and their solar cell efficiency of 10.5%", J. Mater. Chem. 
A, vol. 3, no. 8, p. 4147. 
[105] Thai Tran Thanh, Nguyen Duc Hieu, Luu Thi Lan Anh, Pham Phi Hung, Vo 
Thach Son, and Vu Thi Bich (2012), "Fabrication and characteristics of 
fully-sprayed ZnO/CdS/CuInS2 solar cells", J. Korean Phys. Soc., vol. 61, no. 
9, p. 1494. 
[106] Bhattacharya Raghu N (2013), "Solar Energy Materials & Solar Cells CIGS-
based solar cells prepared from electrodeposited stacked Cu/In/Ga layers", 
Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 113, p. 96. 
[107] Tanaka Kunihiko, Masatoshi Oonuki, Noriko Moritake, and Hisao Uchiki 
(2009), " Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by non-vacuum 
processing", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 93, pp. 583–587. 
 109 
[108] Miskin Caleb K., Wei-Chang Yang, Charles J. Hages, Nathaniel J. Carter, 
Chinmay S. Joglekar, Eric A. Stach, and Rakesh Agrawal (2015), " 9.0% 
efficient Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells from selenized nanoparticle inks ", Prog. 
Photovoltaics Res. Appl., vol. 23, no. 5, pp. 654–659. 
[109] McLeod Steven M., Charles J. Hages, Nathaniel J. Carter, and Rakesh 
Agrawal (2015), "Synthesis and characterization of 15% efficient CIGSSe 
solar cells from nanoparticle inks", Prog. Photovoltaics Res. Appl., vol. 23, 
no. 11, pp. 1550–1556. 
[110] Wangperawong A., J. S. King, S. M. Herron, B. P. Tran, K. Pangan-Okimoto, 
and S. F. Bent (2011), "Aqueous bath process for deposition of Cu2ZnSnS4 
photovoltaic absorbers", Thin Solid Films, vol. 519, no. 8, pp. 2488–2492. 
[111] Tuna Ocal, Yusuf Selamet, Gulnur Aygun, and Lutfi Ozyuzer (2010), "High 
quality ITO thin films grown by dc and RF sputtering without oxygen", J. 
Phys. D. Appl. Phys., vol. 43, no. 5. 
[112] West John L. and Da Wei Lee (2014), "Cracked ITO on Polyester Film 
Substrates for Electro-Optic Applications", Appl. Mech. Mater., vol. 526, pp. 
15–20. 
[113] Hu Mingjun, Jiefeng Gao, Yucheng Dong, Kai Li, Guangcun Shan, Shiliu 
Yang, and Robert Kwok Yiu Li (2012), "Flexible transparent PES/silver 
nanowires/PET sandwich-structured film for high-efficiency electromagnetic 
interference shielding", Langmuir, vol. 28, no. 18, pp. 7101–7106. 
[114] Terzini E., P. Thilakan, and C. Minarini (2000), "Properties of ITO thin films 
deposited by RF magnetron sputtering at elevated substrate temperature", 
Mater. Sci. Eng. B Solid-State Mater. Adv. Technol., vol. 77, no. 1, pp. 110–
114. 
[115] Garnett Erik C, Wenshan Cai, Judy J Cha, Fakhruddin Mahmood, Stephen T 
Connor, M Greyson Christoforo, Yi Cui, Michael D McGehee, Mark L 
Brongersma, M Greyson Christoforo, Yi Cui, Michael D McGehee, and Mark 
L Brongersma (2012), "Self-limited plasmonic welding of silver 
nanowire junctions.", Nat. Mater., vol. 11, no. 3, pp. 241–9. 
[116] Hu Liangbing, Han Sun Kim, Jung-yong Lee, Peter Peumans, and Yi Cui 
 110 
(2010), "Scalable Coating and Properties of Transparent, Flexible, Silver 
Nanowire Electrodes", ACS Nano, vol. 4, no. 5, p. 2955. 
[117] Nguyen Duy-Cuong, Seigo Ito, and Dang Viet Anh Dung (2015), "Effects of 
annealing conditions on crystallization of the CZTS absorber and 
photovoltaic properties of Cu(Zn,Sn)(S Se)2 solar cells", J. Alloys Compd., 
vol. 632, pp. 676–680. 
[118] Uma Ghorpade, Mahesh Suryawanshi, Seung Wook Shin, Kishor Gurav, 
Pramod Patil, Sambhaji Pawar, Chang Woo Hong Jin Hyeok Kim and Sanjay 
Kolekar (2014), "Towards environmentally benign approaches for the 
synthesis of CZTSSe nanocrystals by a hot injection method: a status review", 
Chemical Communications, vol. 50, issue. 77. 
 [119] Hages Charles J. and Rakesh Agrawal (2015), "Synthesis of CZTSSe Thin 
Films from Nanocrystal Inks", Copp. Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Sol. 
Cells, pp. 239–270. 
[120] Riha Shannon C., Bruce A. Parkinson, and Amy L. Prieto (2009), "Solution-
Based Synthesis and Characterization of Cu2ZnSnS4 Nanocrystals", J. Am. 
Chem. Soc., vol. 131, no. 34, pp. 12054–12055. 
[121] Steinhagen Chet, Matthew G. Panthani, Vahid Akhavan, Brian Goodfellow, 
Bonil Koo, and Brian A. Korgel (2009), "Synthesis of Cu2ZnSnS4 
nanocrystals for use in low-cost photovoltaics", J. Am. Chem. Soc., vol. 131, 
no. 35, pp. 12554–12555. 
[122] Guo Qijie, Hugh W. Hillhouse, and Rakesh Agrawal (2009), "Synthesis of 
Cu2ZnSnS4 nanocrystal ink and its use for solar cells", J. Am. Chem. Soc., 
vol. 131, no. 33, pp. 11672–11673. 
[123] Guo Qijie, Grayson M Ford, Wei-Chang Yang, Bryce C Walker, Eric A 
Stach, Hugh W Hillhouse, and Rakesh Agrawal (2010), "Fabrication of 7.2% 
efficient CZTSSe solar cells using CZTS nanocrystals", J. Am. Chem. Soc., 
vol. 132, no. 49, pp. 17384–17386. 
[124] Lin Xianzhong, Jaison Kavalakkatt, Ahmed Ennaoui, and Martha Ch Lux-
Steiner (2015), "Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film absorbers based on ZnS, SnS and 
Cu3SnS4 nanoparticle inks: Enhanced solar cells performance by using a 
 111 
two-step annealing process", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 132, pp. 
221–229. 
[125] Liu Yi, Dong Yao, Liang Shen, Hao Zhang, Xindong Zhang, and Bai Yang 
(2012), "Alkylthiol-enabled Se powder dissolution in Oleylamine at room 
temperature for the phosphine-free synthesis of copper-based quaternary 
selenide nanocrystals", J. Am. Chem. Soc., vol. 134, no. 17, pp. 7207–7210. 
[126] Mitzi David B, Oki Gunawan, Teodor K Todorov, Kejia Wang, and Supratik 
Guha (2011), "The path towards a high-performance solution-processed 
kesterite solar cell", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 95, no. 6, pp. 1421–
1436. 
[127] Wei Hao, Wei Guo, Yijing Sun, Zhi Yang, and Yafei Zhang (2010), "Hot-
injection synthesis and characterization of quaternary Cu2ZnSnSe4 
nanocrystals", Mater. Lett., vol. 64, no. 13, pp. 1424–1426. 
[128] Altamura Giovanni (2014), " Development of CZTSSe thin films based solar 
cells", Material chemistry. Uni- versité Joseph-Fourier - Grenoble I, HAL Id: 
tel-01060095. 
[129] Chernomordik Boris D, E Be, Donna D Deng, Lorraine F Francis, and Eray S 
Aydil (2014), "Microstructure Evolution and Crystal Growth in Cu2ZnSnS4 
Thin Films Formed By Annealing Colloidal Nanocrystal Coatings", 
Chemistry of Materials, vol. 26, no. 10, pp. 3191 - 3201. 
[130] C.V.Thompson (1991), "Secondary grain growth in thin films of 
semiconductors: Theoretical aspects", J. Appl. Phys., vol. 763, no. 1985. 
[131] Redinger Alex, Dominik M. Berg, Phillip J. Dale, Rabie Djemour, Levent 
Gütay, Tobias Eisenbarth, Nathalie Valle, and Susanne Siebentritt (2011), 
"Route toward high-efficiency single-phase Cu2ZnSn(S,Se)4 thin-film solar 
cells: Model experiments and literature review", IEEE Journal of 
Photovoltaics, vol. 1, no. 2. pp. 200 – 206. 
[132] Hartman Katy, Bonna K Newman, J L Johnson, Hui Du, P A Fernandes, 
Vardaan Chawla, Trudy Bolin, M Bruce, António F Cunha, Glenn Teeter, 
Michael A Scarpulla, and Tonio Buonassisi (2011), "Detection of ZnS phases 
in CZTS Thin-Films By EXAFS", 37th IEEE Photovoltaic Specialists 
 112 
Conference, pp. 4–7.
File đính kèm:
luan_an_nghien_cuu_che_tao_vat_lieu_dan_dien_trong_suot_va_v.pdf
INFORMATION ON NEW CONCLUSION OF DOCTORAL DISSERTATION.pdf
thông tin tóm tắt về các kết luận mới của luận án.pdf
Tom tat LA - T1 2020.pdf